| 型号： | PDZ6.8B,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | DIODE ZENER 6.8V 400MW SOD323 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 |
| PDZ6.8B,115 PDF |  |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 电压 - 齐纳（标称）(Vz) | 6.8V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.1V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 500nA @ 3.5V |
| 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 阻抗（最大）(Zzt) | 40 欧姆 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装 | SOD-323 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 其它名称 | 568-6455-2 934054855115 PDZ6.8B T/R PDZ6.8B T/R-ND PDZ6.8B,115-ND |